LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例
LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析(元素マップ)を行いました。
<使用機器>
<作業工程>
FIB-マイクロプロービング法による試料作製 → 低エネルギーイオンミリング → STEM-EDS面分析
<納期>
担当職員にお問い合わせください。
測定例
ご利用を希望される方へ
このページのご紹介内容は、試験計測(依頼試験)でご利用いただけます。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。
料金NO. | 項目 | 単位(又はメーカー・型式) | 料金 |
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K1625 | TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン | 低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき | 122,100円 |
K1425 | TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル) | 1試料1条件につき | 14,850円 |
K1441 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍を超えて50万倍以下 | 倍率 10万倍を超えて50万倍以下 1視野につき | 25,850円 |
K1460 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)試料傾斜調整 | 試料傾斜調整 1条件ごとに | 13,420円 |
K1530 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS) 面分析 | 面分析 1視野5元素ごとに、 または2時間につき | 109,230円 |
関連リンク
材料 電子材料|技術分野 その他|分析・試験・評価法 元素、微細構造
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- 担当:川崎技術支援部