集束イオンビーム装置観察（マルチ解析用・FIB-SEM/EDS/EBSD）[Scios LoVacシステム]

最新のFIB-SEMです。局所領域の断面加工と観察、TEM試料作製、三次元解析を行うことが可能です。本装置は高性能電子光学系を有したSEMを搭載しているため、金属、セラミックス、有機物など様々な試料から多様な情報を得ることができます。元素分析装置(EDS)、結晶方位解析装置(EBSD)も搭載しており、多角的な解析が可能です。

特徴
・微細な領域の断面加工と観察を行うことができます。
・材料の三次元解析を行うことができます。
・付属のEDSにより、試料の元素分析を行うことができます。
・付属のEBSDにより、結晶性材料の方位解析を行うことができます。
・低真空モードを使用することで、セラミックス等の絶縁材料を無蒸着で分析することができます。

仕様
・SEM分解能：1.0nm（15kV）、1.6nm（1kV）
・検出器：二次電子検出器、反射電子検出器
・推奨試料サイズ：最大30mm径×10mm径程度
・FIB分解能：5nm
・EDS：X-MaxN　150ｍｍ2（Oxford製）
・分析モード：点分析, 線分析, 面分析
・分析対象元素：B～U
・その他：低真空観察（10～50Pa）

料金について

料金表番号	試験名	単位	料金
K1940	マルチ解析用集束イオンビーム装置（FIB）	１時間以内	35,530円
K1941	マルチ解析用集束イオンビーム装置（FIB）　追加	追加１時間あたり	30,470円
K1950	マルチ解析用FIBオプション　カーボン膜デポジション	10分あたり	2,420円
K1951	マルチ解析用FIBオプション　プラチナ膜デポジション	10分あたり	2,310円
K1960	マルチ解析用FIB付属のSEM	１試料１視野観察につき	20,900円
K1961	マルチ解析用FIB付属のSEM　視野追加	同一試料において１視野追加観察につき	4,730円
K1962	マルチ解析用FIB付属のSEM　条件追加	同一試料において１条件追加につき	4,730円
K1965	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　低真空	低真空モードの使用	11,660円
K1970	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EDS分析測定　点分析	点分析１視野１箇所につき	17,380円
K1971	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EDS分析測定　点分析追加	点分析同一視野内で１箇所追加につき	5,940円
K1974	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EDS分析測定　線分析	線分析１視野１箇所につき	23,210円
K1975	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EDS分析測定　線分析追加	線分析同一視野内で１箇所追加につき	8,910円
K1976	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EDS分析測定　面分析	面分析１視野につき	34,760円
K1978	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EDS分析測定　各種データ処理	各種データ処理１条件につき	5,940円
K1980	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EBSD分析測定　結晶方位マップ	結晶方位マップ１視野につき	48,840円
K1981	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EBSD分析測定　視野追加	同一試料で１視野追加につき	11,660円
K1984	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EBSD分析測定　条件追加	１条件追加につき	11,220円
K1985	マルチ解析用FIB付属のSEMオプション　EBSD分析測定　各種データ処理	各種データ処理１条件につき	5,940円
K1990	マルチ解析用FIB-SEMによる三次元再構築用連続断面画像の取得	１測定につき	120,230円
K1995	マルチ解析用FIB-SEMによる三次元再構築用連続断面画像の取得　条件追加	１条件追加につき	12,210円

※各条件（観察、分析、加工面積）により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。

使用する機器について

この試験に使用する機器は以下の通りです。

担当部署

川崎技術支援部　微細構造解析グループ

分類

溝の口支所　試験計測　|　微細構造解析分野　|　マルチ解析用集束イオンビーム装置（FIB）