マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB-SEM/EDS/EBSD)


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最新のFIB-SEMです。局所領域の断面加工と観察、TEM試料作製、三次元解析を行うことが可能です。本装置は高性能電子光学系を有したSEMを搭載しているため、金属、セラミックス、有機物など様々な試料から多様な情報を得ることができます。元素分析装置(EDS)、結晶方位解析装置(EBSD)も搭載しており、多角的な解析が可能です。

メーカー名

日本エフイー・アイ株式会社

型番

Scios LoVacシステム

仕様

SEM分解能 1.0nm(15kV)、1.6nm(1kV)
検出器二次電子検出器、反射電子検出器
推奨試料サイズ
最大30mm径×10mm程度
FIB分解能
5nm
EDS
X-MaxN 150mm2(Oxford製)
分析モード
点分析、線分析、面分析
分析対象元素
B~U
その他
低真空観察(10~50Pa)

ご利用方法

試験計測(依頼試験)機器使用で利用できます

料金について

■ 試験計測(依頼試験)料金

マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB-SEM/EDS/EBSD)

料金NO.項目単位料金担当部名
K1940マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB)1時間以内35,530円川崎技術支援部
K1941マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB) 追加追加1時間あたり30,470円川崎技術支援部
K1950マルチ解析用FIBオプション カーボン膜デポジション10分あたり2,420円川崎技術支援部
K1951マルチ解析用FIBオプション プラチナ膜デポジション10分あたり2,310円川崎技術支援部
K1960マルチ解析用FIB付属のSEM1試料1視野観察につき20,900円川崎技術支援部
K1961マルチ解析用FIB付属のSEM 視野追加同一試料において1視野追加観察につき4,730円川崎技術支援部
K1962マルチ解析用FIB付属のSEM 条件追加同一試料において1条件追加につき4,730円川崎技術支援部
K1965マルチ解析用FIB付属のSEMオプション 低真空低真空モードの使用11,660円川崎技術支援部
K1970マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 点分析点分析1視野1箇所につき17,380円川崎技術支援部
K1971マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 点分析追加点分析同一視野内で1箇所追加につき5,940円川崎技術支援部
K1974マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 線分析線分析1視野1箇所につき23,210円川崎技術支援部
K1975マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 線分析追加線分析同一視野内で1箇所追加につき8,910円川崎技術支援部
K1976マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 面分析面分析1視野につき34,760円川崎技術支援部
K1978マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 各種データ処理各種データ処理1条件につき5,940円川崎技術支援部
K1980マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EBSD分析測定 結晶方位マップ結晶方位マップ1視野につき48,840円川崎技術支援部
K1981マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EBSD分析測定 視野追加同一試料で1視野追加につき11,660円川崎技術支援部
K1984マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EBSD分析測定 条件追加1条件追加につき11,220円川崎技術支援部
K1985マルチ解析用FIB付属のSEMオプション EBSD分析測定 各種データ処理各種データ処理1条件につき5,940円川崎技術支援部
K1990マルチ解析用FIB-SEMによる三次元再構築用連続断面画像の取得1測定につき120,230円川崎技術支援部
K1995マルチ解析用FIB-SEMによる三次元再構築用連続断面画像の取得 条件追加1条件追加につき12,210円川崎技術支援部

マルチ解析用FIB-SEMによる微小試験片の作製

料金NO.項目単位料金担当部名
K1930マルチ解析用FIB-SEMによる微小試験片の作製 標準標準的な作製(SEM観察含む)5本につき193,710円川崎技術支援部
K1932マルチ解析用FIB-SEMによる微小試験片の作製 複雑複雑な作製(SEM観察含む) 5本につき292,820円川崎技術支援部
K1935マルチ解析用FIB-SEMによる微小試験片の作製 条件追加1条件追加につき11,880円川崎技術支援部

※微小試験片の作製のみ、ナノインデンターの費用は別途発生します。

導入年度

平成28年度
  • この装置に関連するお問い合わせ
  • 担当:川崎技術支援部 微細構造解析グループ