LSIコンタクトホールの２方向観察事例

LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。
また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。

＜使用機器＞　FE-TEM/EDS（電界放出型透過電子顕微鏡）
　　　　　　　FIB（集束イオンビーム装置）
　　　　　　　低エネルギーイオンミリング

＜測定手順＞

・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
　　　　　　　↓
・TEMによる断面観察（微小欠陥の位置を確認）
　　　　　　　↓
・FIBによる平面試料作製
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
　　　　　　　↓
・ TEMによる平面観察（確認）
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出（複数回）
　　　　　　　↓
・ TEMによる平面観察

＜納　　期＞　担当職員にお問い合わせください。

測定例

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• 材料　電子材料｜技術分野　不具合｜分析・試験・評価法　微細構造